ALD Atomic Layer Deposition
Anwendungen
| Anwendungen | Spezifischer Zweck | ALD-Materialtyp |
| MEMS-Geräte | Sperrschicht ätzen | Al2Ö3 |
| Schutzschicht | Al2Ö3 | |
| Antihaftschicht | TiO2 | |
| Hydrophobe Schicht | Al2Ö3 | |
| Verbindungsschicht | Al2Ö3 | |
| Verschleißfeste Schicht | Al2Ö3, TiO2 | |
| Anti-Kurzschluss-Schicht | Al2Ö3 | |
| Ladungsableitungsschicht | ZnO: Al | |
| Elektrolumineszierende Anzeige | Leuchtende Schicht | ZnS: Mn/Er |
| Passivierungsschicht | Al2Ö3 | |
| Aufbewahrungsmaterialien | Ferroelektrische Materialien | HfO2 |
| Paramagnetische Materialien | Gd2Ö3, äh2Ö3, Dy&sub2;O&sub3;, Ho2Ö3 | |
| Nicht magnetische Kopplung | Ru, Ir | |
| Elektroden | Edelmetalle | |
| Induktive Kopplung (ICP) | High-k-Gate-Dielektrikumschicht | HfO2, TiO2, Ta2Ö5, ZrO&sub2; |
| Solarbatterie aus kristallinem Silizium | Oberflächenpassivierung | Al2Ö3 |
| Perowskit-Dünnschichtbatterie | Pufferschicht | ZnxMnyO |
| Transparente Leitschicht | ZnO: Al | |
| 3D-Verpackung | Through-Silicon-Vias (TSVs) | Cu, Ru, TiN |
| Leuchtende Anwendung | OLED-Passivierungsschicht | Al2Ö3 |
| Sensoren | Passivierungsschicht, Füllmaterialien | Al2Ö3, SiO2 |
| Medizinische Behandlung | Biokompatible Materialien | Al2Ö3, TiO2 |
| Korrosionsschutzschicht | Oberflächenkorrosionsschutzschicht | Al2Ö3 |
| Kraftstoffbatterie | Katalysator | Pt, Pd, Rh |
| Lithium Batterie | Elektrodenmaterialschutzschicht | Al2Ö3 |
| Lese-/Schreibkopf für Festplatte | Passivierungsschicht | Al2Ö3 |
| Dekorative Beschichtung | Farbige Folie, metallisierte Folie | Al2Ö3, TiO2 |
| Anti-Verfärbungsbeschichtung | Edelmetall-Antioxidationsbeschichtung | Al2Ö3, TiO2 |
| Optische Filme | Hoch-niedriger Brechungsindex |
MgF2, SiO2, ZnS, TiO2, Ta2Ö5, ZrO2, HfO2 |
Arbeitsprinzip
Die Atomlagenabscheidung (ALD) ist ein Verfahren zum Abscheiden von Substanzen auf der Oberfläche eines Substrats in Form von
einzelnen Atomfilm Schicht für Schicht.Die Atomlagenabscheidung ähnelt der üblichen chemischen Abscheidung, aber im Prozess
Bei der Atomlagenabscheidung ist die chemische Reaktion einer neuen Atomschicht direkt mit der vorherigen verbunden
Schicht, so dass bei dieser Methode bei jeder Reaktion nur eine Schicht Atome abgeschieden wird.
Produktparameter
| Modell | ALD1200-500 |
| Filmsystem beschichten | AL2Ö3,TiO2,ZnO usw |
| Beschichtungstemperaturbereich | Normaltemperatur bis 500℃ (anpassbar) |
| Größe der Beschichtungsvakuumkammer |
Innendurchmesser: 1200 mm, Höhe: 500 mm (anpassbar) |
| Vakuumkammerstruktur | Entsprechend den Anforderungen des Kunden |
| Vakuum im Hintergrund | <5×10-7Millibar |
| Schichtdicke | ≥0,15nm |
| Präzision der Dickenkontrolle | ±0,1 nm |
| Beschichtungsgröße | 200×200mm² / 400×400mm² / 1200×1200mm² usw |
| Gleichmäßigkeit der Filmdicke | ≤ ± 0,5 % |
| Vorläufer- und Trägergas |
Trimethylaluminium, Titantetrachlorid, Diethylzink, reines Wasser, Stickstoff usw. ( C₃H₉Al, TiCl4, C₄HZn,H2O, N₂ usw.) |
| Hinweis: Kundenspezifische Produktion verfügbar. | |
Beschichtungsmuster
Prozessschritte
→ Legen Sie das zu beschichtende Substrat in die Vakuumkammer;
→ Die Vakuumkammer bei hoher und niedriger Temperatur vakuumieren und das Substrat synchron drehen;
→ Beschichtung starten: das Substrat wird nacheinander und ohne gleichzeitige Reaktion mit Precursor kontaktiert;
→ Nach jeder Reaktion mit hochreinem Stickstoffgas spülen;
→ Hören Sie auf, das Substrat zu drehen, nachdem die Filmdicke den Standard erreicht hat und der Spül- und Kühlvorgang abgeschlossen ist
abgeschlossen ist, dann nehmen Sie das Substrat heraus, nachdem die Vakuumunterbrechungsbedingungen erfüllt sind.
Unsere Vorteile
Wir sind Hersteller.
Reifer Prozess.
Antwort innerhalb von 24 Arbeitsstunden.
Unsere ISO-Zertifizierung
Teile unserer Patente
Teile unserer Auszeichnungen und Qualifikationen von F&E
Unsere Produkte werden auf der ganzen Welt verkauft. Sie können sich auf den gesamten Prozess unserer Produkte verlassen.
