ALD-Atomschicht-Absetzung
Anwendungen
| Anwendungen | Spezifischer Zweck | ALD-Material-Art |
| MEMS-Geräte | Ätzung der Sperrschicht | Al2O3 |
| Schutzschicht | Al2O3 | |
| Nichtbindende Schicht | TiO2 | |
| Hydrophobe Schicht | Al2O3 | |
| Klebeschicht | Al2O3 | |
| Haltbare Schicht | Al2O3, TiO2 | |
| Anti-kurze Stromkreisschicht | Al2O3 | |
| Gebührenableitungsschicht | ZnO: Al | |
| Leuchtanzeige | Leuchtende Schicht | ZnS: Mangan/äh |
| Passivierungsschicht | Al2O3 | |
| Speichermaterialien | Ferroelectric Materialien | HfO2 |
| Paramagnetische Materialien | Gd2O3, äh2O3, Dy-₂O₃, Ho2O3 | |
| Antimagnetische Koppelung | Ru, Ir | |
| Elektroden | Edelmetalle | |
| Induktive Koppelung (ICP) | Dielektrische Schicht des hoch--k Tors | HfO2, TiO2, Ta2O5, ZrO-₂ |
| Solarbatterie des kristallenen Silikons | Oberflächenstabilisierung | Al2O3 |
| Perowskitdünnfilmbatterie | Puffer-Schicht | ZnxMnyO |
| Transparente Leitschicht | ZnO: Al | |
| Verpacken 3D | Durch-Silikon-Vias (TSVs) | Cu, Ru, Zinn |
| Leuchtende Anwendung | OLED-Passivierungsschicht | Al2O3 |
| Sensoren | Passivierungsschicht, Füllermaterialien | Al2O3, SiO2 |
| Ärztliche Behandlung | Biocompatible Materialien | Al2O3, TiO2 |
| Korrosionsschutzschicht | Oberflächenkorrosionsschutzschicht | Al2O3 |
| Brennstoffbatterie | Katalysator | Pint, PD, relative Feuchtigkeit |
| Lithium-Batterie | Materielle Schutzschicht der Elektrode | Al2O3 |
| Festplattenlese-schreibkopf | Passivierungsschicht | Al2O3 |
| Dekorative Beschichtung | Farbiger Film, metallisierter Film | Al2O3, TiO2 |
| Anti-Verfärbungsbeschichtung | Edelmetallantioxidierungsbeschichtung | Al2O3, TiO2 |
| Optische Filme | Hoch-niedriger Brechungskoeffizient |
MGF2, SiO2, ZnS, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2 |
Funktions-Prinzip
Atomschichtabsetzung (ALD) ist eine Methode des Niederlegens der Substanzen auf der Oberfläche des Substrates in
Form der einzelnen Atomfilmschicht durch Schicht. Atomschichtabsetzung ist allgemeiner chemischer Absetzung ähnlich,
aber bei Atomschichtabsetzung, ist die chemische Reaktion einer neuen Schicht des Atomfilmes direkt
verbunden mit der vorhergehenden Schicht, damit nur eine Schicht Atome in jeder Reaktion dadurch niedergelegt wird.
Eigenschaften
| Modell | ALD1200-500 |
| Beschichtendes Filmsystem | AL2O3, TiO2, ZnO, usw. |
| Beschichtende Temperaturspanne | Normale Temperatur zu 500℃ (kundengerecht) |
| Beschichtende Unterdruckkammergröße | Innerer Durchmesser: 1200mm, Höhe: 500mm (kundengerecht) |
| Unterdruckkammerstruktur | Entsprechend den Anforderungen des Kunden |
| Hintergrundvakuum | <5> -7mbar |
| Anstrichschichtdicke | ≥0.15nm |
| Stärkeregelgenauigkeit | ±0.1nm |
| Beschichtende Größe | 200×200mm ²/400×400mm ²/1200×1200 Millimeter ², usw. |
| Dickeneinheitlichkeit | ≤±0.5% |
| Vorläufer und Trägergas |
Trimethylaluminum, Titantetrachlorid, Diäthyl- Zink, reines Wasser, Stickstoff, etc. (c-₃ H ₉ Al, TiCl4-, c-₄ HZn, H2O, n-₂, etc.) |
| Anmerkung: Kundengebundene Produktion verfügbar. | |
Beschichtende Proben
Prozessschritte
→ setzen das Substrat für das Beschichten in die Unterdruckkammer;
→ Vacuumize die Unterdruckkammer bei der Hochs und Tiefs-Temperatur und das Substrat synchron drehen;
→ fangen an zu beschichten: das Substrat wird mit Vorläufer in der Folge und ohne simultane Reaktion befragt;
→ bereinigen es mit Stickstoffgas von hohem Reinheitsgrad nach jeder Reaktion;
→ Halt, der das Substrat dreht, nachdem die Dicke bis Standard ist und die Operation des Bereinigens und
das Abkühlen wird abgeschlossen, dann heraus das Substrat nach dem Vakuum nimmt, das Bedingungen bricht, werden getroffen.
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