Atomlagenabscheidung in der Katalysatorindustrie
Anwendungen
| Anwendungen | Spezifischer Zweck |
| Katalysator |
Oxidkatalysator |
| Metallkatalysator |
Arbeitsprinzip
Die Atomic Layer Deposition (ALD)-Technologie, auch bekannt als Atomic Layer Epitaxy (ALE)-Technologie, ist eine Chemikalie
DampfFilmAbscheidungstechnologie basierend auf geordneter und selbstgesättigter Oberflächenreaktion.ALD wird angewendet
Halbleiteraufstellen.WieDas Moore'sche Gesetz entwickelt sich ständig weiter und die Strukturgrößen und Ätzrillen werden integriert
Schaltungen wurdenständigMiniaturisierung, die immer kleineren Ätzrillen haben schwerwiegende Auswirkungen
Herausforderungen an die BeschichtungTechnologievon Rillen und deren Seitenwänden.Herkömmliche PVD- und CVD-Verfahren wurden verwendet
die Anforderungen nicht erfüllen könnendes VorgesetztenSchrittabdeckung unter schmaler Linienbreite.Die ALD-Technologie spielt eine Rolle
zunehmend wichtigere Rolle in der Halbleiterindustrieaufgrund seiner hervorragenden Formbeständigkeit, Gleichmäßigkeit und höheren Stufe
Abdeckung.
Merkmale
| Modell |
ALD-CX—X |
| Filmsystem beschichten | AL2Ö3,TiO2,ZnO usw |
| Beschichtungstemperaturbereich | Normaltemperatur bis 500℃ (anpassbar) |
| Größe der Beschichtungsvakuumkammer |
Innendurchmesser: 1200 mm, Höhe: 500 mm (anpassbar) |
| Vakuumkammerstruktur | Entsprechend den Anforderungen des Kunden |
| Vakuum im Hintergrund | <5×10-7Millibar |
| Schichtdicke | ≥0,15nm |
| Präzision der Dickenkontrolle | ±0,1 nm |
| Beschichtungsgröße | 200×200mm² / 400×400mm² / 1200×1200mm² usw |
| Gleichmäßigkeit der Filmdicke | ≤ ± 0,5 % |
| Vorläufer- und Trägergas |
Trimethylaluminium, Titantetrachlorid, Diethylzink, reines Wasser, |
| Hinweis: Kundenspezifische Produktion verfügbar. | |
Beschichtungsmuster
Prozessschritte
→ Legen Sie das zu beschichtende Substrat in die Vakuumkammer;
→ Die Vakuumkammer bei hoher und niedriger Temperatur vakuumieren und das Substrat synchron drehen;
→ Beschichtung starten: das Substrat wird nacheinander und ohne gleichzeitige Reaktion mit Precursor kontaktiert;
→ Nach jeder Reaktion mit hochreinem Stickstoffgas spülen;
→ Hören Sie auf, das Substrat zu drehen, nachdem die Filmdicke den Standard erreicht hat und der Spül- und Kühlvorgang abgeschlossen ist
abgeschlossen ist, dann nehmen Sie das Substrat heraus, nachdem die Vakuumunterbrechungsbedingungen erfüllt sind.
Unsere Vorteile
Wir sind Hersteller.
Reifer Prozess.
Antwort innerhalb von 24 Arbeitsstunden.
Unsere ISO-Zertifizierung
Teile unserer Patente
Teile unserer Auszeichnungen und Qualifikationen von F&E
Unsere Produkte werden auf der ganzen Welt verkauft. Sie können sich auf den gesamten Prozess unserer Produkte verlassen.
