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AL2O3 Atomic Layer Deposition Equipment For Nanostructure Pattern Industry

AL2O3 Atomic Layer Deposition Equipment für die Nanostrukturmusterindustrie

  • Markieren

    Nanostruktur-Atomschichtabscheidung

    ,

    Musterindustrie-Atomschichtabscheidung

    ,

    AL2O3-Atomschichtabscheidungsausrüstung

  • Gewicht
    Anpassbar
  • Größe
    Anpassbar
  • Garantiezeit
    1 Jahr oder von Fall zu Fall
  • Anpassbar
    Verfügbar
  • Versandbedingungen
    Auf dem Seeweg / Luft / Multimodaler Transport
  • Herkunftsort
    Chengdu, VR CHINA
  • Markenname
    ZEIT
  • Zertifizierung
    Case by case
  • Modellnummer
    ALD-NP-X—X
  • Min Bestellmenge
    1 Satz
  • Preis
    Case by case
  • Verpackung Informationen
    Holzschatulle
  • Lieferzeit
    Von Fall zu Fall
  • Zahlungsbedingungen
    T/T
  • Versorgungsmaterial-Fähigkeit
    Von Fall zu Fall

AL2O3 Atomic Layer Deposition Equipment für die Nanostrukturmusterindustrie

Atomlagenabscheidung in der Nanostruktur- und Musterindustrie
 
 
Anwendungen

 Anwendungen     Spezifischer Zweck
    Nanostruktur und Muster

    Templatgestützte Nanostruktur

    Katalysatorunterstützte Nanostruktur
    Regioselektive ALD zur Herstellung von Nanomustern

 
Arbeitsprinzip
Atomlagenabscheidung ist ein Verfahren zum Bilden eines Films, indem die Gasphasenvorstufen alternierend gepulst werden
in die Reaktionskammer ein und erzeugt die Gas-Festphasen-Chemisorptionsreaktion auf dem abgeschiedenen Substrat
auftauchen.Bei den Vorläuferndie Oberfläche des abgeschiedenen Substrats erreichen, werden sie chemisch adsorbiert
der Oberfläche und erzeugen die Oberflächenreaktionen.

 
Merkmale

    Modell     ALD-NP-X—X
    Filmsystem beschichten     AL2Ö3,TiO2,ZnO usw
    Beschichtungstemperaturbereich   Normaltemperatur bis 500℃ (anpassbar)
    Größe der Beschichtungsvakuumkammer

  Innendurchmesser: 1200 mm, Höhe: 500 mm (anpassbar)

    Vakuumkammerstruktur     Entsprechend den Anforderungen des Kunden
    Vakuum im Hintergrund     <5×10-7Millibar
    Schichtdicke     ≥0,15nm
    Präzision der Dickenkontrolle   ±0,1 nm
    Beschichtungsgröße   200×200mm² / 400×400mm² / 1200×1200mm² usw
    Gleichmäßigkeit der Filmdicke     ≤ ± 0,5 %
    Vorläufer- und Trägergas

    Trimethylaluminium, Titantetrachlorid, Diethylzink, reines Wasser,
Stickstoff usw.

    Hinweis: Kundenspezifische Produktion verfügbar.

                                                                                                                
Beschichtungsmuster

AL2O3 Atomic Layer Deposition Equipment für die Nanostrukturmusterindustrie 0AL2O3 Atomic Layer Deposition Equipment für die Nanostrukturmusterindustrie 1

 

Prozessschritte
→ Legen Sie das zu beschichtende Substrat in die Vakuumkammer;
→ Die Vakuumkammer bei hoher und niedriger Temperatur vakuumieren und das Substrat synchron drehen;
→ Beschichtung starten: das Substrat wird nacheinander und ohne gleichzeitige Reaktion mit Precursor kontaktiert;
→ Nach jeder Reaktion mit hochreinem Stickstoffgas spülen;
→ Hören Sie auf, das Substrat zu drehen, nachdem die Filmdicke den Standard erreicht hat und der Spül- und Kühlvorgang abgeschlossen ist

abgeschlossen ist, dann nehmen Sie das Substrat heraus, nachdem die Vakuumunterbrechungsbedingungen erfüllt sind.
 
Unsere Vorteile
Wir sind Hersteller.
Reifer Prozess.
Antwort innerhalb von 24 Arbeitsstunden.

 
Unsere ISO-Zertifizierung
AL2O3 Atomic Layer Deposition Equipment für die Nanostrukturmusterindustrie 2
 

Teile unserer Patente
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Teile unserer Auszeichnungen und Qualifikationen von F&E

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