ALD Atomic Layer Deposition
Anwendungen
| Anwendungen | Spezifischer Zweck | ALD-Materialtyp |
| MEMS-Geräte | Sperrschicht ätzen | Al2Ö3 |
| Schutzschicht | Al2Ö3 | |
| Antihaftschicht | TiO2 | |
| Hydrophobe Schicht | Al2Ö3 | |
| Verbindungsschicht | Al2Ö3 | |
| Verschleißfeste Schicht | Al2Ö3, TiO2 | |
| Anti-Kurzschluss-Schicht | Al2Ö3 | |
| Ladungsableitungsschicht | ZnO: Al | |
| Elektrolumineszierende Anzeige | Leuchtende Schicht | ZnS: Mn/Er |
| Passivierungsschicht | Al2Ö3 | |
| Aufbewahrungsmaterialien | Ferroelektrische Materialien | HfO2 |
| Paramagnetische Materialien | Gd2Ö3, äh2Ö3, Dy&sub2;O&sub3;, Ho2Ö3 | |
| Nicht magnetische Kopplung | Ru, Ir | |
| Elektroden | Edelmetalle | |
| Induktive Kopplung (ICP) | High-k-Gate-Dielektrikumschicht | HfO2, TiO2, Ta2Ö5, ZrO&sub2; |
| Solarbatterie aus kristallinem Silizium | Oberflächenpassivierung | Al2Ö3 |
| Perowskit-Dünnschichtbatterie | Pufferschicht | ZnxMnyO |
| Transparente Leitschicht | ZnO: Al | |
| 3D-Verpackung | Through-Silicon-Vias (TSVs) | Cu, Ru, TiN |
| Leuchtende Anwendung | OLED-Passivierungsschicht | Al2Ö3 |
| Sensoren | Passivierungsschicht, Füllmaterialien | Al2Ö3, SiO2 |
| Medizinische Behandlung | Biokompatible Materialien | Al2Ö3, TiO2 |
| Korrosionsschutzschicht | Oberflächenkorrosionsschutzschicht | Al2Ö3 |
| Kraftstoffbatterie | Katalysator | Pt, Pd, Rh |
| Lithium Batterie | Elektrodenmaterialschutzschicht | Al2Ö3 |
| Lese-/Schreibkopf für Festplatte | Passivierungsschicht | Al2Ö3 |
| Dekorative Beschichtung | Farbige Folie, metallisierte Folie | Al2Ö3, TiO2 |
| Anti-Verfärbungsbeschichtung | Edelmetall-Antioxidationsbeschichtung | Al2Ö3, TiO2 |
| Optische Filme | Hoch-niedriger Brechungsindex |
MgF2, SiO2, ZnS, TiO2, Ta2Ö5, ZrO2, HfO2 |
Arbeitsprinzip
Atomlagenabscheidung (ALD) ist ein Verfahren zum Abscheiden von Substanzen auf der Oberfläche von Substraten in der
Form voneinzelnen Atomfilm Schicht für Schicht.Die Atomlagenabscheidung ähnelt der üblichen chemischen Abscheidung,
aber dabeider Atomlagenabscheidung ist die chemische Reaktion einer neuen Atomschicht direkt
mit dem Vorhergehenden verbundenSchicht, so dass bei dieser Methode bei jeder Reaktion nur eine Schicht Atome abgeschieden wird.
Merkmale
| Modell | ALD1200-500 |
| Filmsystem beschichten | AL2Ö3,TiO2,ZnO usw |
| Beschichtungstemperaturbereich | Normaltemperatur bis 500℃ (anpassbar) |
| Größe der Beschichtungsvakuumkammer | Innendurchmesser: 1200 mm, Höhe: 500 mm (anpassbar) |
| Vakuumkammerstruktur | Entsprechend den Anforderungen des Kunden |
| Vakuum im Hintergrund | <5×10-7Millibar |
| Schichtdicke | ≥0,15nm |
| Präzision der Dickenkontrolle | ±0,1 nm |
| Beschichtungsgröße | 200×200mm² / 400×400mm² / 1200×1200mm² usw |
| Gleichmäßigkeit der Filmdicke | ≤ ± 0,5 % |
| Vorläufer- und Trägergas |
Trimethylaluminium, Titantetrachlorid, Diethylzink, reines Wasser, Stickstoff usw. ( C₃H₉Al, TiCl4, C₄HZn,H2O, N₂ usw.) |
| Hinweis: Kundenspezifische Produktion verfügbar. | |
Beschichtungsmuster
Prozessschritte
→ Legen Sie das zu beschichtende Substrat in die Vakuumkammer;
→ Die Vakuumkammer bei hoher und niedriger Temperatur vakuumieren und das Substrat synchron drehen;
→ Beschichtung starten: das Substrat wird nacheinander und ohne gleichzeitige Reaktion mit Precursor kontaktiert;
→ Nach jeder Reaktion mit hochreinem Stickstoffgas spülen;
→ Hören Sie auf, das Substrat zu drehen, nachdem die Filmdicke dem Standard entspricht und der Reinigungsvorgang und
Kühlung istabgeschlossen ist, dann nehmen Sie das Substrat heraus, nachdem die Vakuumunterbrechungsbedingungen erfüllt sind.
Unsere Vorteile
Wir sind Hersteller.
Reifer Prozess.
Antwort innerhalb von 24 Arbeitsstunden.
Unsere ISO-Zertifizierung
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