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IC LSI Electrode Semiconductor Detector Systems Magnetron Sputtering Deposition

IC LSI-Elektroden-Halbleiter-Detektorsysteme Magnetron-Sputtering-Abscheidung

  • Markieren

    Halbleiter-Magnetron-Sputtering-Abscheidung

    ,

    IC-Halbleiter-Detektorsysteme

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    LSI-Elektroden-Halbleiter-Detektorsysteme

  • Gewicht
    Anpassbar
  • Größe
    Anpassbar
  • Anpassbar
    Verfügbar
  • Garantiezeit
    1 Jahr oder von Fall zu Fall
  • Versandbedingungen
    Auf dem Seeweg / Luft / Multimodaler Transport
  • Herkunftsort
    Chengdu, VR CHINA
  • Markenname
    ZEIT
  • Zertifizierung
    Case by case
  • Modellnummer
    MSC-SEM-X—X
  • Min Bestellmenge
    1 Satz
  • Preis
    Case by case
  • Verpackung Informationen
    Holzschatulle
  • Lieferzeit
    Von Fall zu Fall
  • Zahlungsbedingungen
    T/T
  • Versorgungsmaterial-Fähigkeit
    Von Fall zu Fall

IC LSI-Elektroden-Halbleiter-Detektorsysteme Magnetron-Sputtering-Abscheidung

Magnetron-Sputtering-Abscheidung in der Halbleiterindustrie

 

 

Anwendungen

  Anwendungen   Spezifischer Zweck   Materialtyp
  Halbleiter   IC, LSI-Elektrode, Verdrahtungsfolie   AI, Al-Si, Al-Si-Cu, Cu, Au, Pt, Pd, Ag
  VLSI-Speicherelektrode   Mo, W, Ti
  Diffusionssperrfolie   MoSix, Wsix, TaSix,, TiSx, W, Mo, W-Ti
  Klebefolie   PZT(Pb-ZrO2-Ti), Ti, W

 

Arbeitsprinzip

Prinzip des Magnetron-Sputterns: Unter Einwirkung eines elektrischen Feldes kollidieren dabei Elektronen mit Argonatomen

mit hoher Geschwindigkeit auf das Substrat zu fliegen, viele Argonionen und Elektronen zu ionisieren, und dann fliegen Elektronen zu dem

Substrat.Argon-Ionen bombardieren das Ziel mit hoher Geschwindigkeit unter der Wirkung eines elektrischen Feldes und zerstäuben viel Ziel

Atome, dann lagern sich die neutralen Zielatome (oder -moleküle) auf dem Substrat ab, um Filme zu bilden.

 

Merkmale

  Modell   MSC-SEM-X—X
  Beschichtungstyp   Verschiedene dielektrische Filme wie Metallfilm, Metalloxid und AIN
  Beschichtungstemperaturbereich   Normaltemperatur bis 500℃
  Größe der Beschichtungsvakuumkammer   700 mm * 750 mm * 700 mm (anpassbar)
  Vakuum im Hintergrund   < 5×10-7Millibar
  Schichtdicke   ≥ 10nm
  Präzision der Dickenkontrolle   ≤ ±3 %
  Maximale Beschichtungsgröße   ≥ 100 mm (anpassbar)
  Gleichmäßigkeit der Filmdicke  ≤ ±0,5 %
  Substratträger   Mit Planetendrehmechanismus
  Zielmaterial   4 × 4 Zoll (kompatibel mit 4 Zoll und darunter)
Stromversorgung   Die Stromversorgungen wie DC, Puls, RF, IF und Bias sind optional
  Prozessgas   Ar, N2, Ö2
  Hinweis: Kundenspezifische Produktion verfügbar.

                                                                                                                

Beschichtungsprobe

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Prozessschritte

→ Legen Sie das zu beschichtende Substrat in die Vakuumkammer;

→ Grob saugen;

→ Molekularpumpe einschalten, mit Höchstgeschwindigkeit vakuumieren, dann Umdrehung und Rotation einschalten;

→ Erhitzen der Vakuumkammer, bis die Temperatur den Zielwert erreicht;

→ Implementieren Sie die konstante Temperaturregelung;

→ Elemente reinigen;

→ Drehen und zurück zum Ursprung;

→ Beschichtungsfolie nach Prozessanforderungen;

→ Senken Sie die Temperatur und stoppen Sie die Pumpenbaugruppe nach dem Beschichten;

→ Beenden Sie die Arbeit, wenn der automatische Betrieb beendet ist.

 

Unsere Vorteile

Wir sind Hersteller.

Reifer Prozess.

Antwort innerhalb von 24 Arbeitsstunden.

 

Unsere ISO-Zertifizierung

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Teile unserer Patente

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Teile unserer Auszeichnungen und Qualifikationen von F&E

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